一、主要功能
主要用于纳米级的单层及多层功能膜、各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等的研究开发，广泛应用于半导体行业、微电子及新材料领域。
二、主要技术指标
1、系统极限真空：主溅射室： 2×10-5Pa，进样室：6.6×10-4Pa。
2、靶的结构尺寸及成膜方式：靶在下，基片在上，向上溅射成膜。主溅射室下底有三个靶枪位，安装两个永磁磁控靶枪，一个电磁磁控靶枪，靶材直径Ф60mm，各靶枪均水冷。靶与基片距离为40～80mm连续可调，并有调位距离指示。
3、衬底基片：样品库内可放置6片基片（Ф30mm），为水冷加热转盘，可加偏压。样品加热温度：室温～500℃。
4、基片在进样室退火，退火温度：最高800℃可控可调。进样室还设有反溅靶，做清洗样品用。 |
